CLBOは偶然の産物から最高性能を持つ結晶へと育った。これは閃きと勘がド真ん中に決まった「ピッチャー型」の研究と言えるだろう。一方で「バッター型」の研究もある。打てば間違いなくヒーローになれるとわかっているのに誰も打てない球に挑んでいく研究スタイルだ。社会ニーズに応える工学らしい研究でもある。結晶にもそんな球があった。待ち望まれているのに誰も創れなかった、GaNの高品質結晶だ。

GaNは2014年にノーベル物理学賞が贈られた青色LEDの材料である。だが、それだけの利用ではもったいない素晴らしい素質を持っており、原子配列に欠陥のない結晶化に成功すればこれまでにない特性を発揮し、電気自動車の性能を高める「次世代パワーデバイス」や5Gの通信品質を高める「次世代高周波デバイス」の材料に使えることがわかっていた。

原子の結合の強い結晶は組み立て（育成）が難しい。ほんの少しズレたり欠損したりしてもそのままつながってしまい、やり直しがきかないからだ。青色LEDも、GaNという素材に可能性を見出してもなかなか創ることができず、それを実現できたからノーベル賞が授与されたのだ。パワーデバイスや高周波デバイスの材料となると、要求されるレベルは格段に高く、パーフェクトなGaN結晶など不可能だと誰もが諦めていた。

GaNが将来モノになる材料だという確信はあった。しかし、具体的な方法はわからない。常識の延長上に答はなく、困難の連続だったが、研究開始から20年を超えてようやくこれだという育成法にたどり着いた。いくつかの発想の飛躍が必要だった。まず最初に目をつけたのはナトリウムを使うこと。ナトリウムはシリコンの中に入ると誤動作を引き起こす。半導体の世界では御法度だったが、窒素の分解触媒として着目。ガリウムとナトリウムの液相に窒素ガスを高温高圧で溶かし込みながら結晶を育成させた。

森ゆ研は、不可能だと言われていることがあれば挑戦する。誰もできなかったことが新しいアイデアによって可能になることを実際に証明してきた。困難であれば困難であるほど、他の追随を許さないオリジナリティーの高い成果を出せる。しかも結晶は、根幹であるハードテクノロジーを革新し、世の中をガラリと変えてしまう可能性を秘めている。GaNが真価を発揮するのもこれからだ。